RussianEnglish
Новости
01. 10. 2012г.
Федеральная служба по интеллектуальной собственности (РОСПАТЕНТ) приняла положительное решение о выдаче патента ООО «Производственно-технологический центр» УралАлмазИнвест» на полезную модель АЛМАЗНЫЙ ТРАНЗИСТОР (заявка № 2012130845/28 (048474) от 19.07.2012г.) Авторами заявки являются: Алтухов А.А. , Зяблюк К.Н., Иващенко Н.Г., Науменко Г.Ф., Талипов Н.Х.

Алмазный транзистор, включающий алмазный изолирующий кристалл, на который нанесен алмазный электропроводящий слой с контактами истока и стока, и диэлектрический слой, расположенный между контактами истока и стока с металлическим контактом затвора, нанесенным на диэлектрический слой, отличающийся тем, что контакты истока и стока выполнены в виде многослойной структуры Ti/TiN/Ti/Au, а между алмазным электропроводящим слоем и диэлектрическим слоем, расположенным между истоком и стоком, сформирован слой алмаза, обработанный водородной плазмой.

Посмотреть

Патент

 

СТОЙКОСТЬ-2012

5-6 июня 2012 г. ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов», г. Лыткарино, провел 15-ю Всероссийскую научно-техническую конференцию "Радиационная стойкость электронных систем" («СТОЙКОСТЬ-2012»). В разделе конференции «Оценка и обеспечение радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения.», специалисты ООО «ПТЦ УралАлмазИнвест» выступили с докладом на тему «Исследования алмазного спектрометра в пучке ускоренных тяжелых ионов канала В5 циклотрона У-400М.»

С основными тезисами доклада можно ознакомиться здесь

 

 


Страница 22 из 25