01. 10. 2012г.
Федеральная служба по интеллектуальной собственности (РОСПАТЕНТ) приняла положительное решение о выдаче патента ООО «Производственно-технологический центр» УралАлмазИнвест» на полезную модель АЛМАЗНЫЙ ТРАНЗИСТОР (заявка № 2012130845/28 (048474) от 19.07.2012г.) Авторами заявки являются: Алтухов А.А. , Зяблюк К.Н., Иващенко Н.Г., Науменко Г.Ф., Талипов Н.Х.
Алмазный транзистор, включающий алмазный изолирующий кристалл, на который нанесен алмазный электропроводящий слой с контактами истока и стока, и диэлектрический слой, расположенный между контактами истока и стока с металлическим контактом затвора, нанесенным на диэлектрический слой, отличающийся тем, что контакты истока и стока выполнены в виде многослойной структуры Ti/TiN/Ti/Au, а между алмазным электропроводящим слоем и диэлектрическим слоем, расположенным между истоком и стоком, сформирован слой алмаза, обработанный водородной плазмой.