RussianEnglish
Новости

Федеральная служба по интеллектуальной собственности (РОСПАТЕНТ) выдала ООО «Производственно-технологический центр» УралАлмазИнвест»  патент на полезную модель №125391 "АЛМАЗНЫЙ МНОГОЭЛЕКТРОДНЫЙ ТРАНЗИСТОР" (заявка № 2012130844/28 от 19.07.2012г.) Авторы: Алтухов А.А. , Зяблюк К.Н., Науменко Г.Ф.

Подробнее...
 

Февраль 2013.

 

Специалисты  ПТЦ «УралАЛмазИнвест» приняли участие  в Х научно-технической конференции «Молодёжь в науке» прошедшей в Российском Федеральном Ядерном Центре – Всероссийском Научно-Исследовательском Институте Экспериментальной Физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ). Работы с участием наших сотрудников опубликованы и находятся в открытом доступе.

Аннотации докладов «Солнечно-слепые датчики УФ-излучения на основе природного алмаза 2а-типа» и «Исследование процессов в алмазных датчиках УФ-излучения на основе спектрально-вольт-амперных характеристик» доступны на сайте РФЯЦ-ВНИИЭФ по ссылке

С материалами докладов можно ознакомиться здесь:

Доклад1 (скачать файл pdf) «Солнечно-слепые датчики УФ-излучения на основе природного алмаза 2а-типа»

Доклад2 (скачать файл pdf)«Исследование процессов в алмазных датчиках УФ-излучения на основе спектрально-вольт-амперных характеристик»

 

 


Страница 22 из 27